我校一件发明专利拟转让武汉麦韦光学科技有限公司。根据《中华人民共和国促进科技成果转化法》若干规定【国发〔2016〕16号】及《武汉工程大学科技成果转化管理办法（试行）》【武工大科发[2021]1号】，经双方协商最终确定转让总金额为3万元整（大写：叁万元整）。目前，专利权人同意该专利成果转让。
特此公示。公示期15天（2025年2月26日-2025年3月13日）。若有异议请在公示期内如实向科学技术发展院书面反映情况。联系电话：027-65520180
发明名称：一种具有致密性和耐刻蚀性Y2O3薄膜的制备方法及其应用
专利号：2024109971688
发明人：赵洪阳，王世奥，周焱文，马志斌，付秋明，杨思捷，吴俊
权利人：武汉工程大学
发明简介：本发明提供一种具有致密性和耐刻蚀性 Y2O3薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、将衬底清洗，吹干，置于UV光清洗机中进行活化处理； S2、将步骤S1中衬底置于磁控溅射镀膜机内，边抽真空边加热，达到本底真空后通入氩气，对 Y2O3靶材进行预溅射，预溅射完成后打开挡板， 调节腔体气压，正式溅射开始，溅射完毕后取出衬底；S3、将步骤S2中衬底在800-1000℃条件下进行真空退火，退火过程中持续通入O2，退火完成后在真空环境下自然降温，即完成Y2O3薄膜的制备。本发明制备的Y2O3薄膜具有致密性和耐刻蚀性，可以应用于刻蚀设备，提高设备使用寿命的同时还可提升设备性能。
武汉工程大学科学技术发展院
2025年2月26日
