我校一项专利成果拟转让于武汉市飞瓴光电科技有限公司，根据《中华人民共和国促进科技成果转化法》若干规定【国发〔2016〕16号】及《武汉工程大学科技成果转化管理办法（试行）》【武工大科发[2021]1号】，经双方协商最终确定转让总金额为3万元整（大写：叁万元整）。目前，专利权人同意该专利成果转让。
特此公示。公示期15天（2023年9月8日—2023年9月22日）。若有异议请在公示期内如实向科学技术发展院书面反映情况。
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发明名称：一种镍掺杂p型铜铁矿结构CuFeO2材料的制备方法
专利号：201910380115.0
发明人:邓泉荣; 陈海; 廖辉; 王戈明; 毛样武; 王升高
权利人：武汉工程大学
发明简介：本发明提供一种镍掺杂p型铜铁矿结构CuFeO2材料的制备方法，属于半导体光电材料领域。包括以下步骤：（1）将铜盐、铁盐和镍盐按摩尔比1:0.94～0.98:0.02～0.06容器中混合，将混合物加入强碱溶液中，所述强碱溶液与所述铜盐的的摩尔比是为13～110；（2）溶液搅拌均匀后在120～180℃下反应6～24 h后，随炉冷却；（3）过滤得到粗样品，将粗样品置于恒温干燥烘箱中干燥得到铜铁矿结构CuFeO2粉末。本发明主要是向p型半导体材料CuFeO2中掺入受主杂质Ni，受主杂质可以从价带中获得电子而电离，使价带中空穴的浓度增多，从而增强了半导体的p型导电能力。镍掺杂提高了铜铁矿CuFeO2的空穴载流子浓度，降低了半导体的电阻率。
武汉工程大学科学技术发展院
2023年9月8日
