我校三项专利成果拟转让于武汉普迪真空科技有限公司，根据《中华人民共和国促进科技成果转化法》若干规定【国发〔2016〕16号】及《武汉工程大学科技成果转化管理办法（试行）》【武工大科发[2021]1号】，经双方协商最终确定转让总金额为10万元整（大写：拾万元整）。目前，专利权人同意该专利成果转让。
特此公示。公示期15天（2023年9月22日—2023年10月6日）。若有异议请在公示期内如实向科学技术发展院书面反映情况。
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1.发明名称：一种利用微波等离子体化学气相沉积技术在钽铌酸钾晶体上制备金刚石薄膜的方法
专利号：202110756515.4
发明人:赵洪阳; 李天蔚; 郝建新; 马志斌; 王旭平
权利人：武汉工程大学
发明简介：本发明属于晶体合成技术领域，具体涉及一种利用微波等离子体化学气相沉积法在钽铌酸钾晶体上制备金刚石薄膜的方法，包括如下步骤：1）将钽铌酸钾晶体置于微波等离子体化学气相沉积装置的腔体中，将腔体抽真空后，通入氢气，调节氢气流量、气压和微波功率，产生等离子体包裹钽铌酸钾晶体以实现对其加热，并调节真空微调阀使腔内气压保持在11kPa-12kPa范围之内；2）待压强和等离子体状态稳定后，对步骤1）所述腔体内通入甲烷，控制甲烷和氢气的通入流量比，再调节真空微调阀使腔内气压保持在11kPa-12kPa范围之内；待通入甲烷6-9h后关闭微波源，待腔体冷却，取出样品，得到在钽铌酸钾晶体上制备的金刚石薄膜。该方法有制备工艺简单，制备金刚石膜质量高，生长速度快等优点。
2.发明名称：一种用于焊接CVD金刚石与硬质合金的装置、方法及其应用
专利号：201611245499.8
发明人: 马志斌; 任昱霖
权利人：武汉工程大学
发明简介：本发明提供了一种用于焊接CVD金刚石与硬质合金的装置、方法及其应用，所述装置包括：一石墨模具，所述石墨模具包括容纳CVD金刚石与硬质合金的试样腔以及与所述试样腔配合的盖体；一焊接腔室，所述焊接腔室内包括升温装置、进气口及抽气口；所述升温装置与所述石墨模具连接，用于对所述石墨模具加热；所述进气口与保护气体进入装置连接，用于向所述焊接腔室内通入保护气体；所述抽气口与抽真空装置连接，用于对所述焊接腔室进行抽真空。本发明方法保证了CVD金刚石与硬质合金的焊接过程在高真空，有保护性气氛的环境中进行，避免了大气中有害气体对焊接界面性能的影响，显著提高了硬质合金与CVD金刚石焊接的质量与连接处的稳定性，提高了焊接的效率。
3.发明名称：铁掺杂金刚石稀磁半导体及其制备方法
专利号：201810786224.8
发明人: 赵洪阳; 马志斌; 程振祥; 王欢; 蔡康
权利人：武汉工程大学
发明简介：本发明涉及一种铁掺杂金刚石稀磁半导体及其制备方法，它以乙酰丙酮铁作为铁源，无水乙醇作为碳源，通过无水乙醇将乙酰丙酮铁引入微波等离子体化学气相沉积装置中，在基底上生长铁掺杂金刚石，实现将铁元素引入稀磁金刚石中。本发明首次以乙酰丙酮铁作为铁源，通过挥发的无水乙醇将其引入，采用微波等离子体化学气相沉积法制备稀磁金刚石半导体，并成功生长出在室温下具有铁磁效应的金刚石。并且发现，随着铁源用量的增加，金刚石的磁性强度呈现一种上升的现象。针对其的研究有利于最大程度地探究铁掺杂金刚石的稀磁半导体特性，同时也有利于探索金刚石磁性掺杂的更多可能性。
武汉工程大学科学技术发展院
2023年9月22日
