我校3件发明专利拟转让湖北迪洁膜科技有限责任公司。根据《中华人民共和国促进科技成果转化法》若干规定【国发〔2016〕16号】及《武汉工程大学科技成果转化管理办法（试行）》【武工大科发[2021]1号】，经双方协商最终确定转让总金额为10万元（大写：拾万元整）。目前，专利权人同意该专利成果转让。
公示期15天（2025年11月21日-2025年12月5日）。若有异议请在公示期内如实向科学技术发展院书面反映情况。联系电话：027-65520180。
特此公示。
发明名称1：一种碳化硅陶瓷纳米线网格化纳滤膜分离层及其制备方法
专利号：2022109518256
发明人：陈常连;胡朴;陈松;孙文岳;黄志良
权利人：武汉工程大学
发明简介：本发明属于膜材料技术领域，公开了一种碳化硅陶瓷纳米线网格化纳滤膜分离层及其制备方法。所述分离层由长度10‑100μm、直径10‑100nm的碳化硅纳米线交错分布而成，分离层的厚度为1‑5μm，平均孔径为1‑15nm，孔隙率为45‑60％。所述分离层的制备方法包括：首先采用硅源、碳源、粘结剂、分散剂、溶剂配制分离层浆料，再通过负压涂覆分离层浆料形成分离层生坯，最后经两段式烧结得到碳化硅陶瓷纳米线网格化纳滤膜分离层。本发明采用创新的网格化结构设计，使分离层在具有纳滤膜过滤精度的同时还具有极薄的厚度，可以提高分离效率和抗污堵能力，在石油化工的油水分离、生物医药分离提纯、高价与低价无机盐分离、高品质直饮水的制备以及果汁浓缩等领域有广阔的应用前景。
发明名称2：一种孔径可控的微米孔径碳化硅多孔陶瓷及其制备方法
专利号：2022110460025
发明人：陈常连;陈松;孙文岳;胡朴;黄志良
权利人：武汉工程大学
发明简介：本发明属于陶瓷材料技术领域，公开了一种孔径可控的微米孔径碳化硅多孔陶瓷及其制备方法。首先，进行原料配方的设计，根据碳化硅多孔陶瓷的目标孔径，确定原料中各组分的质量百分含量；其次，按照设计的原料配方，将原料制成碳化硅多孔陶瓷生坯；最后，将碳化硅多孔陶瓷生坯置于惰性气氛中进行烧成，得到碳化硅多孔陶瓷。本发明能够对微米孔径碳化硅多孔陶瓷的孔径进行精准调控，制备出1‑10μm范围内目标孔径的纯重结晶碳化硅多孔陶瓷，在柴油车尾气过滤、工业废气处理、烟气过滤和节能环保等基体材料领域有广泛的应用前景。
发明名称3：一种在石墨模板上大面积沉积碳化硅薄膜的制备方法
专利号：2018112555095
发明人：陈常连;梁欣;周诗聪;季家友;黄志良;徐慢
权利人：武汉工程大学
发明简介：本发明公开了一种在石墨模板上大面积沉积碳化硅薄膜的制备方法，首先将氮化硅粉末和碳化硅粉末按照适当比例混合，添加无水乙醇在研砵中研磨，经清洗、干燥后将粉体装入匣钵中真空烧结，烧结温度为1900℃以上，保温时间为1h。本发明方法涉及的条件可控、操作简便、反应条件温和，所得碳化硅薄膜面积大且具有优异的稳定性，使得石墨模具寿命大大提高，为玻璃加热石墨模板改性技术提供了一条新途径，具有重要的经济和工程价值。
武汉工程大学科学技术发展院
2025年11月21日
